芯片行業(yè)可用到環(huán)境檢測(cè)設(shè)備有哪些？

編輯：廣東星拓環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備科技有限公司 2023-03-11　

2022年12月15日美國(guó)這對(duì)中國(guó)高新科技產(chǎn)業(yè)的限制持續(xù)加碼，將長(zhǎng)江存儲(chǔ)和寒武紀(jì)等中國(guó)先進(jìn)科技企業(yè)列入“實(shí)體清單”中，這一舉措無(wú)疑是針對(duì)中國(guó)芯片技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)，以此希望鎖死中國(guó)企業(yè)的科技升級(jí)路徑。但對(duì)于我國(guó)來(lái)說(shuō)，危機(jī)便也意味著機(jī)會(huì)，美國(guó)所擴(kuò)展的“實(shí)體清單”也意味著中國(guó)的科技發(fā)展指南。那么環(huán)境檢測(cè)設(shè)備行業(yè)該如何幫助芯片行業(yè)破冰呢？

芯片從設(shè)計(jì)到制造所涉環(huán)節(jié)是非常復(fù)雜的，從原料、光刻、封裝再到可靠性測(cè)試，是一個(gè)非常龐大復(fù)雜的系統(tǒng)工程，每一個(gè)環(huán)節(jié)都涉及精密尖端技術(shù)，而美國(guó)打出的全面封鎖牌，“繞路走捷徑”的想法便是空談，因此我過(guò)必須下狠功夫跑通全產(chǎn)業(yè)鏈路。星拓環(huán)境在檢測(cè)芯片環(huán)境可靠性方面有著成熟的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)，環(huán)境檢測(cè)設(shè)備的測(cè)試執(zhí)行能力位于領(lǐng)先地位。

芯片的環(huán)境可靠性測(cè)試該如何推進(jìn)呢？驗(yàn)證芯片的耐久力的核心手段是進(jìn)行環(huán)境測(cè)試，芯片制作主要包括：芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié)。這小小的一枚芯片只有經(jīng)過(guò)一系列嚴(yán)格測(cè)試鑒定和驗(yàn)收試驗(yàn)，一切正常才可上市。下面我們就一起看看不同的環(huán)境檢測(cè)設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目怎么做。

PCT：高壓蒸煮試驗(yàn) Pressure Cook Test (Autoclave Test)

• 目的：評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫，高濕，高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力，加速其失效過(guò)程

• 測(cè)試設(shè)備：星拓PCT老化試驗(yàn)箱

• 測(cè)試條件：130℃，85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm）

• 失效機(jī)制：化學(xué)金屬腐蝕，封裝密封性

• 參考標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A102、EIAJED- 4701-B123

• 注意：HAST與THB的區(qū)別在于溫度更高，并且考慮到壓力因素，實(shí)驗(yàn)時(shí)間可以縮短，而PCT則不加偏壓，但濕度增大。

TCT：高低溫循環(huán)試驗(yàn)（Temperature Cycling Test ）

• 目的：評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過(guò)循環(huán)流動(dòng)的空氣從高溫到低溫重復(fù)變化

• 測(cè)試設(shè)備：星拓AH-系列高低溫濕熱試驗(yàn)箱

• 測(cè)試條件：條件一：:-55℃~+125℃；條件二：-65℃ ~+150℃

• 失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂，導(dǎo)體和絕緣體的斷裂，不同界面的分層

• 參考標(biāo)準(zhǔn)：MIT-STD-883E Method 1010.7、JESD22-A104-A、EIAJED- 4701-B-131

TST：高低溫沖擊試驗(yàn)（Thermal Shock Test ）

• 目的：評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過(guò)循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫重復(fù)變化。

• 測(cè)試設(shè)備：星拓AS-系列溫度沖擊試驗(yàn)箱

• 測(cè)試條件：條件一：:-55℃~+125℃；條件二：-65℃ ~+150℃

• 失效機(jī)制：電介質(zhì)的斷裂，材料的老化（如bond wires）, 導(dǎo)體機(jī)械變形

• 參考標(biāo)準(zhǔn)： MIT-STD-883E Method 1011.9、JESD22-B106、EIAJED- 4701-B-141

• 注意：TCT與TST的區(qū)別在于TCT偏重于package 的測(cè)試，而TST偏重于晶園的測(cè)試

HTST：高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)（High Temperature Storage Life Test ）

• 目的：評(píng)估IC產(chǎn)品在實(shí)際使用之前在高溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時(shí)間

• 測(cè)試設(shè)備：星拓BIR-系列高溫老化試驗(yàn)箱

• 測(cè)試條件：150℃

• 失效機(jī)制：化學(xué)和擴(kuò)散效應(yīng)，Au-Al 共金效應(yīng)

• 參考標(biāo)準(zhǔn)：MIT-STD-883E Method 1008.2、JESD22-A103-A、EIAJED- 4701-B111

凡是敵人反對(duì)的，我們就要堅(jiān)決擁護(hù)。在美國(guó)嚴(yán)苛的打壓下，讓星拓環(huán)境檢測(cè)設(shè)備助力芯片行業(yè)楊帆起航，盡管面對(duì)驚濤駭浪，也始終鑒定潮水方向。星拓作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，在環(huán)試設(shè)備行業(yè)技術(shù)沉淀20+年，國(guó)內(nèi)外2600+長(zhǎng)期合作客戶，長(zhǎng)期環(huán)境可靠性測(cè)試設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。若有任何環(huán)境檢測(cè)設(shè)備相關(guān)需求，可隨時(shí)聯(lián)系廣東星拓環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備廠家進(jìn)行咨詢，星拓工程團(tuán)隊(duì)為您提供安全、可靠和易于操作的測(cè)試設(shè)備技術(shù)方案，助力驗(yàn)證產(chǎn)品品質(zhì)提升。